References
- Geisz J.F., Friedman D.J., Semicond. Sci. Tech., 17 (2002), 769.
- Kurtz S.R., Allerman A.A., Jones E.D., Gee J.M., Banas J.J., HammonS B.E., Appl. Phys. Lett., 74 (1999), 729.
- Kondow M., Uomi K., Niwa A., Kitatani T., Watahiki S., Yazawa Y., Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996), 1273.
- Fischer M., Gollub D., Reinhardt M., Kamp M., Forchel A., J. Cryst. Growth, 251 (2003), 353.
- Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., BoratyŃski B., Radziewicz D., TŁaczaŁa M., Serafinczuk J., Poloczek P., SĘk G., Misiewicz J., Opto-Electron. Rev., 16 (2008), 1.
- Buyanova I.A., Chen W.M., Tu C.W., J. Phys.- Condens. Mat., 16 (2004), S3027.
- Li W., Pessa M., Ahlgren T., Dekker J., Appl. Phys. Lett., 79 (2001), 1094.
- Khan A., Kurtz S.R., Prasad S., Johnston S.W., Gou J., Appl. Phys. Lett., 90 (2007), 243509.
- Ściana B., Radziewicz D., Pucicki D., Zborowska-Lindert I., SerafiŃczuk J., TŁaczaŁa M., Latkowska M., KovÁČ J., Srnanek R., Cryst. Res. Technol., 47 (2012), 313.
- Shan W., Walukiewicz W., Ager III J.W., Haller E., Geisz J.F., Friedman D.J., Olson J.M., Kurtz S.R., Phys. Rev. Lett., 82 (1999), 1221.
- Kamyczek P., BiegaŃski P., PŁaczek-Popko E., Zielony E., Gelczuk Ł., Ściana B., Pucicki D., Radziewicz D., TŁaczaŁa M., Kopalko K., DĄbrowska-Szata M., Mater. Sci.-Poland, 31 (2013), 595.
- Blood P., Orton J.W., Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States, Academic Press, London, 1992.
- Johnston S.W., Kurtz S.R., Friedman D.J., Ptak A.J., Ahrenkiel R.K., Crandall R.S., Appl. Phys. Lett., 86 (2005), 072109.
- Tanaka S., Moto A., Takahashi M., Tanabe T., Takagishi S., J. Cryst. Growth, 221 (2000),467.
- Krispin P., Spruette S.G., Harris J.S., Ploog K. H., J. Appl. Phys., 88 (2000),4153.
- Bouzazi B., Suzuki H., Kojami N., Ohsita Y., Yamaguchi M.,Physica B, 406 (2011),1070.
- Geisz J.F., Friedman D.J., Olson J.M., Kurtz S.R., Keyes B.M., J. Cryst. Growth, 195 (1998),401.
- Moto A., Takahashi M., Takagishi S.,J. Cryst. Growth, 221 (2000),485.
- Kaplar R.J., Kwon D., Ringel S.A., Allerman A.A., Kurtz S.R., Jones E.D., Sieg R.M., Sol. Energ. Mat. Sol. C., 69 (2001),851.
- Gelczuk Ł., Stokowski H., Dabrowska-Szata M., Kudrawiec R., J. Appl. Phys., 119 (2016),185706.
- Gelczuk Ł., Dabrowska-Szata M., Pucicki D., Acta Phys. Pol. A, 126 (20014), 1195.
- Dobaczewski L., Peaker A.R., Bonde-Nielsen K., J. Appl. Phys., 96 (2004),4689.
- Zhang S.B., Wei S.-H., Phys. Rev. Lett., 86 (2001), 1789.
- Spruytte S.G., Coldren C.W., Harris J.S., Wampler W., Krispin P., Ploog K., Larson M.C., J. Appl. Phys., 89 (2001), 4401.
- Li W., Pessa M., Likonen J., Appl. Phys. Lett., 78 (2001), 2864.
- Krispin P., Gambin V., Harris J.S., Ploog K.H., J. Appl. Phys., 93 (2003), 6095.
- Shafi M., Mari R.H., Henini M., Taylor D., Hopkinson M., Phys. Status Solidi C, 6 (2009), 2652.
- Johnston S.W., Kurtz S.R., J. Vac. Sci. Technol. A, 24 (2006), 1252.
- Martin G.M., Mitonneau M., Mircea A., Electron. Lett.,13 (7) (1977), 191.
- Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Botchkarev A.E., Nelson N.N., Fahmi M.M.E., Griffin J.A., Khan A., Mohammad S.N., Johnstone D.K., Bublik V.T., Chsherbatchev K.D., Voronova M.I., Kasatochkin V.S., Solid State Electron., 46 (2002), 2155.
- Skowronski M., Mater. Sci. Forum, 83 – 87 (1992), 377.
- Wohlrab A., Grundig-Wendrock B., Jurisch M., Kiessling F.-M., Niklas J.R., Eur. Phys. J.-Appl. Phys., 27(2004),223.
- Reddy C.V., Fung S., Beling C.D., Phys. Rev. B, 54 (1996), 11290.
- Bourgoin J.C., von Bardeleben H.J., Stievenard D., J. Appl. Phys., 64 (1988), R65.
- Shiraki H., Tokuda Y., Sassa K., J. Appl. Phys., 84 (1998), 3167.
- Fang Z.-Q., Schlesinger T.E., Milnes A.G., J. Appl. Phys., 61 (1987), 5047.
- KamiŃska M., Weber E.R., EL2 Defect in GaAs, in: Weber E.R. (Ed.), Imperfections in III/V Materials, Semiconductors and Semimetals, Vol. 8, Academic Press, Boston, 1993, p. 59.