Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE
References
- Geisz J.F., Friedman D.J., Semicond. Sci. Tech., 17 (2002), 769.
- Kurtz S.R., Allerman A.A., Jones E.D., Gee J.M., Banas J.J., HammonS B.E., Appl. Phys. Lett., 74 (1999), 729.
- Kondow M., Uomi K., Niwa A., Kitatani T., Watahiki S., Yazawa Y., Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996), 1273.
- Fischer M., Gollub D., Reinhardt M., Kamp M., Forchel A., J. Cryst. Growth, 251 (2003), 353.
- Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., BoratyŃski B., Radziewicz D., TŁaczaŁa M., Serafinczuk J., Poloczek P., SĘk G., Misiewicz J., Opto-Electron. Rev., 16 (2008), 1.
- Buyanova I.A., Chen W.M., Tu C.W., J. Phys.- Condens. Mat., 16 (2004), S3027.
- Li W., Pessa M., Ahlgren T., Dekker J., Appl. Phys. Lett., 79 (2001), 1094.
- Khan A., Kurtz S.R., Prasad S., Johnston S.W., Gou J., Appl. Phys. Lett., 90 (2007), 243509.
- Ściana B., Radziewicz D., Pucicki D., Zborowska-Lindert I., SerafiŃczuk J., TŁaczaŁa M., Latkowska M., KovÁČ J., Srnanek R., Cryst. Res. Technol., 47 (2012), 313.
- Shan W., Walukiewicz W., Ager III J.W., Haller E., Geisz J.F., Friedman D.J., Olson J.M., Kurtz S.R., Phys. Rev. Lett., 82 (1999), 1221.
- Kamyczek P., BiegaŃski P., PŁaczek-Popko E., Zielony E., Gelczuk Ł., Ściana B., Pucicki D., Radziewicz D., TŁaczaŁa M., Kopalko K., DĄbrowska-Szata M., Mater. Sci.-Poland, 31 (2013), 595.
- Blood P., Orton J.W., Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States, Academic Press, London, 1992.
- Johnston S.W., Kurtz S.R., Friedman D.J., Ptak A.J., Ahrenkiel R.K., Crandall R.S., Appl. Phys. Lett., 86 (2005), 072109.
- Tanaka S., Moto A., Takahashi M., Tanabe T., Takagishi S., J. Cryst. Growth, 221 (2000),467.
- Krispin P., Spruette S.G., Harris J.S., Ploog K. H., J. Appl. Phys., 88 (2000),4153.
- Bouzazi B., Suzuki H., Kojami N., Ohsita Y., Yamaguchi M.,Physica B, 406 (2011),1070.
- Geisz J.F., Friedman D.J., Olson J.M., Kurtz S.R., Keyes B.M., J. Cryst. Growth, 195 (1998),401.
- Moto A., Takahashi M., Takagishi S.,J. Cryst. Growth, 221 (2000),485.
- Kaplar R.J., Kwon D., Ringel S.A., Allerman A.A., Kurtz S.R., Jones E.D., Sieg R.M., Sol. Energ. Mat. Sol. C., 69 (2001),851.
- Gelczuk Ł., Stokowski H., Dabrowska-Szata M., Kudrawiec R., J. Appl. Phys., 119 (2016),185706.
- Gelczuk Ł., Dabrowska-Szata M., Pucicki D., Acta Phys. Pol. A, 126 (20014), 1195.
- Dobaczewski L., Peaker A.R., Bonde-Nielsen K., J. Appl. Phys., 96 (2004),4689.
- Zhang S.B., Wei S.-H., Phys. Rev. Lett., 86 (2001), 1789.
- Spruytte S.G., Coldren C.W., Harris J.S., Wampler W., Krispin P., Ploog K., Larson M.C., J. Appl. Phys., 89 (2001), 4401.
- Li W., Pessa M., Likonen J., Appl. Phys. Lett., 78 (2001), 2864.
- Krispin P., Gambin V., Harris J.S., Ploog K.H., J. Appl. Phys., 93 (2003), 6095.
- Shafi M., Mari R.H., Henini M., Taylor D., Hopkinson M., Phys. Status Solidi C, 6 (2009), 2652.
- Johnston S.W., Kurtz S.R., J. Vac. Sci. Technol. A, 24 (2006), 1252.
- Martin G.M., Mitonneau M., Mircea A., Electron. Lett.,13 (7) (1977), 191.
- Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Botchkarev A.E., Nelson N.N., Fahmi M.M.E., Griffin J.A., Khan A., Mohammad S.N., Johnstone D.K., Bublik V.T., Chsherbatchev K.D., Voronova M.I., Kasatochkin V.S., Solid State Electron., 46 (2002), 2155.
- Skowronski M., Mater. Sci. Forum, 83 – 87 (1992), 377.
- Wohlrab A., Grundig-Wendrock B., Jurisch M., Kiessling F.-M., Niklas J.R., Eur. Phys. J.-Appl. Phys., 27(2004),223.
- Reddy C.V., Fung S., Beling C.D., Phys. Rev. B, 54 (1996), 11290.
- Bourgoin J.C., von Bardeleben H.J., Stievenard D., J. Appl. Phys., 64 (1988), R65.
- Shiraki H., Tokuda Y., Sassa K., J. Appl. Phys., 84 (1998), 3167.
- Fang Z.-Q., Schlesinger T.E., Milnes A.G., J. Appl. Phys., 61 (1987), 5047.
- KamiŃska M., Weber E.R., EL2 Defect in GaAs, in: Weber E.R. (Ed.), Imperfections in III/V Materials, Semiconductors and Semimetals, Vol. 8, Academic Press, Boston, 1993, p. 59.
Language: English
Page range: 726 - 734
Submitted on: Dec 18, 2015
Accepted on: Nov 2, 2016
Published on: Dec 19, 2016
Published by: Wroclaw University of Science and Technology
In partnership with: Paradigm Publishing Services
Publication frequency: 4 issues per year
Keywords:
Related subjects:
© 2016 Łukasz Gelczuk, Maria Dąbrowska-Szata, Beata Ściana, Damian Pucicki, Damian Radziewicz, Krzysztof Kopalko, Marek Tłaczała, published by Wroclaw University of Science and Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.