References
- Delannoy Y., J. Cryst. Growth, 360 (2012), 61.
- Martorano M.A., Ferreira Neto J.B., Oliveira T.S., Tsubaki T.O., Mater. Sci. Eng. B-Adv., 176 (2011), 217.
- Jiang D.C., Tan Y., Shi S., Dong W., Gu Z., Zou R.X., Mater. Lett., 78 (2012), 4.
- Kemmotsu T., Nagai T., Maeda M., High Temp. Mat. Pr.-Isr., 30 (2011), 17.
- Wu J.J., Li Y.L., Ma W.H., Liu K., Wei K.X., Xie K.Q., Yang B., Dai Y.N., Silicon-Neth., 6 (2014), 79.
- Nakamura N., Baba H., Sakaguchi Y., J. Jpn. I. Met., 67 (2003), 583.
- Zhang L., Tan Y., Xu F.M., Li J.Y., Wang H.Y., Gu Z., Sep. Sci. Technol., 48 (7) (2013), 1140.
- Yoshikawa T., Morita K., Metall. Mater. Trans. B, 36 (2005), 731.
- Abadli S., Mansour F., Bedel Pereira E., Cryst. Res. Technol., 47 (10) (2012), 1047.
- Aoyama T., Suzuki K., Toda Y., Yamazaki T., Takashi K., Ito T., J. Appl. Phys., 77 (1995), 417.
- Grove A.S., Leistiko O., Sah C.T., J. Appl. Phys., 35 (1964), 2695.
- Fair R.B., J. Electrochem. Soc., 144 (1997), 709.
- Li W.Q., Zhang H.B., Acta Phys. Sin.-Ch. Ed., 57 (2008), 3219.
- Tan Y., Qin S.Q., Wen S.T., Li J.Y., Shi S., Jiang D.C., Pang D.Y., Mat. Sci. Semicon. Proc., 18 (2014), 42.
- Suzuki K., Miyashita T., IEEE T. Electron Dev., 47 (2000), 524.
- Ohsawa A., Honda K., Toyokura N., J. Electrochem. Soc., 131 (1984), 2968.
- Wolf H.F., Silicon Semiconductor Data, Pergamon, London, 1969.
- Baierle R.J., Caldas M.J., Dabrowski J., Mussig H.J., Zavodinsky V., Physica B, 273 (1999), 260.