References
- Fujita S., Jpn. J. Appl. Phys., 54 (2015), 030101.
- Adachi S., Properties of semiconductor alloys: Group IV, III-V and II-VI Semiconductors, John Wiley & Sons, Ltd., 2009.
- Vetchen van J., Bergstresser T., Phys. Rev. B, 1 (1970), 3351.
- Hill R., J. Phys. C Solid State Phys., 7 (1974), 521.
- Jaros M., Rep. Prog. Phys., 48 (1985), 1091.
- Aymerich F., Phys. Rev. B, 26 (1982), 1968.
- Kukimoto H.,Mater. Res. Soc. Sym. Proc., 161 (1990).
- Bendaif S., Boumaza A., Nemiri O., Boubendira K., Meradji H., Ghemid S., El Haj Hassan F., B. Mater. Sci., 38 (2015), 365.
- Lee S.G., Chang K., Phys. Rev. B, 52 (1995), 1918.
- Caid M., Rached H., Rached D., Khenata R., Bin Omran S., Vashney D., Abidri B., Benkhettou N., Chahed A., Benhellal O., Mater. Sci.- Poland, 34 (2016), 115.
- Bensaid D., Ameri M., El Hanani M., Azaz Y., Bendouma M., Al-Douri Y., Ameri I., Mater. Sci.-Poland, 32 (2014), 719.
- Boukortt A., Abbar B., Abid H., Sehil M., Bensaad Z., Soudini B., Mater. Chem. Phys., 82 (2003), 911.
- Bergstresser T., Cohen M.L., Phys. Rev., 164 (1967), 1069.
- Charifi Z., Baaziz Z., Bouarissa N., Mater. Chem. Phys., 84 (2004), 273.
- Kwon S.J., Jeong H.M., Jung K., Ko D.H., Ko H., Han I.K., Kim G.T., Park J.G., ACS Nano, 9 (2015), 5486.
- Teo K., Feng Y., Li M., Chong T., Xia J., Semicond. Sci.Tech., 9 (1994) 349.
- Benkabou K., Aoumeur F., Abid H., Amrane N., Physica B, 337 (2003), 147.
- Ruoff A.,Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 22 (1984), 287.
- Reddy R., Anjaneyulu S., Sarma C., J. Phys. Chem. Solids, 54 (1993), 635.
- Moss T., Proc. Phys. Soc. B, 63 (1950), 167.
- Ravindra N., Srivastava V., Infrared Phys. Techn.,19 (1979), 603.
- Hervé P., Vandamme L.K.J., Infrared Phys. Techn.,35 (1994), 609.